消息称三星 HBM 基础裸片将推进 2nm 尖端工艺，延续自研 4nm HBM4 路线

8 月 14 日消息，据科技媒体 Wccftech 今天报道，三星将重新规划一座正在建设中的生产线，用于制造 HBM（高带宽内存）的基础裸片（Base Die）。

据业内人士消息，三星的这条生产线将采用 2nm 尖端制程工艺，预计将在两年后投入使用，因此未来仍存在调整的可能性。

HBM所使用的基础裸片持续迭代，真正显著的变化出现在HBM3与HBM3E阶段。由于这两代产品的数据传输速率较此前版本明显提高，主要厂商开始转向由晶圆代工厂提供制程支持的基础裸片方案，并采用20nm至12nm不等的逻辑制程进行制造。

而 HBM4 由于采用了性能更强的总线和更多硅通孔（本站注：TSV），基础裸片将进一步升级，台积电和三星晶圆代工等厂商开始承担 HBM 基础裸片的制造工作。

除三星外，SK 海力士也在推进与晶圆代工厂的合作生产 HBM 芯片。该公司已与台积电展开协作，台积电可提供成熟的 N12 工艺以及更先进的 N5 工艺，用于制造 HBM 相关芯片。