来源:互联网 更新时间:2026-07-15 11:42
7月15日消息,据报道,SK海力士已正式启动面向英伟达的12层HBM4量产出货,产品进入产能爬坡阶段。

HBM4相较前一代HBM3E实现了代际跃升。数据传输通道从1024条翻倍至2048条,带宽扩大一倍。
单颗12层HBM4每秒可处理超过2TB数据。能效较上一代提升40%以上,AI服务性能最高可提升69%。

英伟达Vera Rubin GPU预计最高可搭载288GB HBM4显存,AMD Instinct MI455有望达到432GB。
SK海力士产能扩张也在同步推进,其龙仁半导体园区Y1晶圆厂已开始采购先进DRAM制造设备。原定明年5月投产的首座洁净室已提前至明年2月试产,3至4月完成设备安装。
该园区初期月产能约2万片晶圆,目标生产第六代10纳米级1c DRAM,用于AI服务器DDR、LPDDR及下一代HBM4E。

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