HBM混合键合凉了！三星、SK海力士急刹车：HBM4用不上 HBM5也悬

7月6日消息，据报道，三星电子与SK海力士在引入混合键合技术，以实现下一代高带宽存储器方面正面临日益严峻的挑战。

混合键合技术直接连接DRAM芯片间的铜线，无需使用凸点，有助于减小HBM厚度并改善散热。然而，

而HBM3E标准厚度为720微米，HBM4已放宽至775微米。厚度标准松动后，混合键合的无凸点减薄优势不再紧迫。

散热问题也有了更简单的替代方案。三星开发了HPB热通道模块，在封装内部加入独立热柱，可从堆叠内部带走热量。

SK海力士则推出iHBM技术，将电绝缘、导热硅冷却元件嵌入D2D PHY层，称可较现有产品降低超过30%热阻。两家公司计划从HBM5开始应用各自方案。

16层以上高堆叠产品的需求并不紧迫，这进一步延缓了混合键合的规模化部署。不过混合键合的研发并未停滞。当前HBM4的I/O数量已翻倍至2048个。

若未来HBM5E阶段I/O进一步翻倍至4096个，现有TC热压合工艺将因凸点横向扩散而难以支撑，届时必须采用混合键合以实现更高密度连接。