来源:互联网 更新时间:2026-07-02 11:31
7月2日消息,
行业正从8层向16层乃至更高堆叠迈进,顶层虚拟芯片引发的可靠性问题正成为各家厂商必须跨越的门槛。

HBM封装在基底芯片上垂直堆叠存储裸片,顶部覆盖一层虚拟芯片用于保持封装高度并提供机械保护与散热。
三星的新方案将顶层虚拟芯片设计为底部收窄、顶部加宽的倒金字塔形态。侧壁采用三级阶梯与曲面复合结构。该设计使底面粘接界面更窄、顶面更宽,相比传统垂直侧壁大幅提升了机械强度。
制造工艺上,引入深槽切割激光技术。相比传统机械刀片切割,该工艺能实现更深更精密的切割,同时减少对半导体晶体结构的损伤。在非键合区预设沟槽,防止切割碎屑污染键合界面。
热管理方面,将键合绝缘层底面与水平延伸面之间的垂直距离精确控制在1至10微米之间。
此外还通过优化凸起表面结构缩减塑封料体积,改善散热路径。三星计划将此项技术与混合键合及HPB热阻断技术整合。
TrendForce预测2026年全球存储芯片市场规模将飙升至约5516亿美元。对三星而言,这块虚拟芯片的技术突破关系到万亿级别市场的成败。

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