三星首批12层HBM4E样品抢先交付 性能提升超20%

5月29日消息，

在完成初步样品交付与优化后，三星计划根据客户的具体进度安排，启动HBM4E的量产工作。

HBM（高带宽存储器）是AI加速芯片的核心配套部件，其带宽与容量直接决定了AI训练与推理的效率。当前，HBM市场由三星、SK海力士和美光三巨头主导，其中SK海力士在HBM3及HBM3E阶段曾占据显著先发优势。

三星自2015年切入HBM赛道，产品已历经十代迭代。2026年2月，三星率先实现HBM4的量产，成为全球首家完成HBM4量产的企业。

据三星介绍，

与HBM4相比，HBM4E可提供稳定的14 Gbps引脚传输速度，性能可扩展至16 Gbps，以满足日益增长的数据处理需求。

容量方面，HBM4E提供48GB，比上一代产品增加了30%以上。三星还计划根据客户需求扩展产品线，包括32GB（8层）和64GB（16层）配置。

当前，HBM市场呈现三星、SK海力士、美光三足鼎立的格局，各方你追我赶。

作为当前HBM市场的份额领导者，SK海力士的HBM4已于2025年9月量产；其HBM4E计划于2026年下半年送样、2027年量产，将采用基于1c nm制程的DRAM裸片，基础裸片则由台积电以3nm工艺生产。

美光方面，HBM4产能爬坡进展顺利，计划于2027年量产HBM4E。消息称其HBM4E将采用10纳米级第六代1γ工艺——这是美光首次在量产工艺中引入EUV光刻设备，基础裸片同样委托台积电制造。