SK海力士向客户供应12层HBM4E样品，AI内存性能大幅提升

在人工智能算力需求持续高涨的背景下，存储技术迎来关键进展。SK海力士近日宣布，已开始向主要客户供应其下一代超高性能DRAM——12层HBM4E的样品。这一动作标志着面向AI优化的内存技术正式迈入新阶段，为下一代数据中心与大规模计算系统提供了关键硬件支持。

公司方面表示，此次推出的HBM4E产品相比前代HBM4实现了显著的性能与能效跨越。其引脚速率最高可达

技术细节与结构优化

据悉，新产品采用了先进的MR-MUF工艺，通过12层堆叠实现了48GB的单体容量，同时进一步增强了结构稳定性。与HBM4相比，其热阻降低了约17%，这确保了芯片在高负载、高性能计算环境中能够长期稳定运行。

此外，HBM4E通过新一代接口和设计优化，有效降低了数据传输延迟。即使在极高带宽的应用场景下，也能保持稳定的性能输出。公司预计，这项技术将显著提升下一代AI数据中心和大规模计算系统的整体处理效率。

量产计划与市场布局

SK海力士强调，凭借其在HBM领域长期积累的先导开发能力和量产经验，公司已成功完成样品交付。目前正与主要客户紧密协作，致力于确保产品能够按时进入量产阶段，以满足市场对高性能AI内存的迫切需求。

公司开发总管表示，未来将持续把业界领先的技术竞争力和量产能力注入HBM4E产品线，夯实其在AI内存创新领域的领导地位。通过与生态伙伴的深度协作，以前瞻性布局实现市场所需的价值，巩固其作为“全方位面向AI的存储器创造者”的角色。