退出内存市场40年后 Intel卷土重来：手握XBM、ZAM两大王牌

8月23日消息，前不久Intel CEO陈立武在一次采访中的表态引发了外界关注，他谈到了内存对AI的重要性，强烈暗示Intel会回归内存芯片市场。

现在大家提到Intel，都知道他们是PC行业的总龙头，x86处理器的奠基人，但Intel在1968年创立之后，

1969年推出首个商业SRAM芯片Intel 3101，要知道当时市场主要还是磁芯存储芯片。

之后在1970年Intel又推出了首个商用DRAM芯片Intel 1103，并获得了巨大的商业成功，Intel一跃成为当时主要的内存芯片厂商。

在之后的故事很多人也听说过了，70-80年代日本半导体崛起，凭借低价内存芯片把Intel逼到了绝境，最终还是打不过日本厂商，Intel结了日本计算器公司的CPU委托订单，结果日本公司还爽约不要了，但Intel无心插柳的行为反而为日后推出x86处理器，转型CPU奠定了基础。

Intel公司最终在1985年彻底放弃DRAM芯片市场，90年代末尝试跟Rambus合作推广RDRAM内存标准，结果也是一场失败，而且奔4处理器同样是Intel的滑铁卢。

Intel后面倒是做了NAND闪存芯片业务，曾经也是六大NAND原厂之一，而且品质是公认最好的一家，2012年更是联合美光推出了3D XPoint芯片，商业品牌定为傲腾，这是一种革命性的存储芯片，兼具DRAM及NAND的优势。

再后面的故事大家也多少知道一点了，Intel因为CPU及芯片制造业务承压，

回头看Intel前几年的决定，只能说运气实在不好，当时低价甩卖闪存业务，现在AI时代最缺的就是存储芯片，傲腾也是非常合适的KV缓存芯片，那部分业务现在价值涨了10倍都不止，光是闪存芯片涨价就能给Intel带来大量利润了，现在只能让SK海力士捡便宜了。

这些背景就是Intel CEO陈立武决定重新进入内存市场的动机之一，40年后Intel重新杀入这个市场，但他们这次不会做通用内存，重点还是AI市场的内存芯片。

这两种都是堆叠型高带宽内存，但技术类型不同，XBM是将晶体管后置的高带宽内存，瞄准HBM的某种替代品，降低制造难度，提高能效。

ZAM是Intel与软银子公司合作开发的，通过键合技术将多层DRAM内存堆叠，提高存储密度。

按时间点来估算，ZAM内存预计在2029年-2030年间问世，XBM内存要到2030年代初才会出现。

不过对Intel来说，最大的问题是运气——

这种错失机遇的运气才是考验XBM/ZAM能不能成的关键，这两年AI市场大热，内存需求极高，万一等XBM/ZAM内存生产出来了，市场需求变了，甚至出现产能过剩，互相杀价呢？