院士解读半导体发展路径：自研EUV与技术创新需协同并进

近期，半导体产业关于技术发展路径的讨论持续升温。在华&为提出新的技术发展思路引发广泛关注的背景下，业界对于中国半导体产业未来的核心投入方向产生了新的思考。特别是关于在已有创新路径的情况下，是否仍需坚持攻克如EUV光刻机等尖端装备的问题，成为了焦点。

半导体物理权威专家褚君浩院士近日在接受采访时明确阐述了观点。他指出，传统的摩尔定律已触及发展瓶颈，而新的技术思路为全球产业开辟了全新的可能性。他强调，这并非意味着放弃基础工艺的追赶，恰恰相反，底层装备的自研与顶层路径的创新必须形成合力。

新技术路径展现显著效能

根据目前已公开的实测数据分析，在新的技术路径指引下，发展效率获得了显著提升。数据显示，

，同时芯片特征尺寸对应的平面面积缩小了12.7%。在性能表现上，芯片主频可达4GHz到5GHz，运算延迟则降低至零点几纳秒水平。这些成果表明，该路径在提升芯片性能方面具有切实可行的效果。

自研EUV是产业根基所在

针对是否还需投入资源发展EUV光刻机的问题，褚君浩院士给出了肯定的答案。他认为，掌握自研EUV技术是为国内半导体产业筑牢根基的关键。这项基础工艺能力的突破，与新的设计及架构创新路径相结合，将产生

。这不仅仅是单一技术节点的跃迁，更涉及到底层范式的创新，有望重塑产业发展格局。

协同发展塑造产业未来

目前，中国半导体产业的整体结构已日趋完整，核心环节的对外依存度持续下降，上下游本土产业链的协同效应初步显现。院士展望，未来全球半导体产业的最优形态，应是各国、各企业发挥自身技术特长，并构建开放合作的产业生态。技术创新与基础工艺研发如同车之两轮，需并行不悖，共同推动整个行业向前迈进。