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英伟达Vera Rubin出货扰动存储供需 NAND闪存价格暴力反弹

来源:互联网 更新时间:2026-08-19 09:29

8月19日消息，

据TrendForce报道，随着英伟达新一代Vera Rubin平台出货逐步提升，其存储需求效应已从HBM延伸至NAND闪存领域。

市场数据显示，

尽管英伟达绝大部分TLC NAND供应通过长期协议锁定，但平台放量带来的实际需求仍对现货市场形成传导压力，推动价格连续上行。

此前，三星已与英伟达在通用DRAM、HBM及晶圆代工领域建立合作，现进一步将协作扩展至NAND闪存。据悉，三星已向英伟达大批量供应第9代V?NAND闪存，并积极推进第10代V?NAND量产，以满足英伟达CMX架构的相关存储需求。

与此同时，铠侠今年推出新款CM10系列PCIe 6.0 SSD，首次搭载第十代BiCS FLASH TLC闪存，专为CMX架构设计。

该产品顺序读取性能较前代提升约92%，随机读取性能提升约85%，并支持直接冷板液冷散热，在高性能计算场景下具备显著优势。

整体来看，