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SK海力士大连新产线规划曝光，将量产200层以上FG结构闪存

来源:互联网 更新时间:2026-08-19 19:16

据行业媒体报道，全球主要存储芯片制造商SK海力士正计划在其位于中国大连的工厂建设新的闪存生产线。该产线将专注于生产采用浮栅（FG）结构的200层以上3D NAND闪存芯片，标志着该公司在先进存储技术领域的又一重要布局。

目前，主流闪存制造商普遍采用电荷阱（CT）结构来生产3D NAND。SK海力士则因其此前收购英特尔闪存业务，成为少数保留并持续发展FG结构技术的厂商。其大连一厂目前已具备量产192层FG NAND的能力。

技术路线与量产时间表

报道指出，SK海力士在去年已经完成了200层以上FG NAND闪存的研发工作，目前正处于向大规模量产过渡的阶段。根据规划，公司目标在

2026年第三季度

建设一条中试生产线，相关设备的采购工作已经启动。后续的全面量产则预计在

2027年下半年

实现。

FG结构的技术优势与应用前景

与CT结构相比，FG结构被认为在制造每单元存储更多比特数的QLC NAND闪存方面更具优势。这类闪存特别适用于读取密集型的数据存储场景。随着人工智能，尤其是推理工作负载的快速增长，市场对能够高效处理大量读取操作、且无需频繁写入的固态硬盘（SSD）需求日益旺盛，这为QLC NAND提供了广阔的应用空间。

此外，坚持FG结构的技术路线，也有利于其旗下品牌Solidigm保持产品开发与技术演进的一致性，确保长期技术规划的连贯性。