铠侠推BiCS9 3D闪存：230层堆叠、4.8Gbps接口，聚焦能效与移动存储

铠侠于2026年7月30日正式向合作伙伴发出了第九代BiCS FLASH 3D闪存芯片的送样通知，首批送样的型号是单颗容量1Tb的TLC颗粒。

这次BiCS9瞄准的是中低容量存储市场，目标很明确：在性能提升的同时，把能效优化做到极致。有意思的是，它并没有像行业里很多玩家那样，一味去追堆叠层数的极限。铠侠在本代产品中选了一条更务实的路——通过整体架构的深度优化，实现综合性能的跃升。

具体来说，这款产品采用的是230层三维存储阵列结构，物理堆叠层数和上一代BiCS8基本持平。但核心电路设计方面，几乎是从头到尾重构了一遍。举个例子，逻辑单元的制造工艺已经提前引入了面向下一代BiCS10平台的先进CMOS制程，同时NAND接口的数据传输速率提升到了4.8 Gb/s。虽然说堆叠层数没有大幅增加，但单位面积下的数据处理效率、访问延迟都得到了明显改善。这意味着终端厂商可以开发出功耗更低、响应更快的固态存储产品，尤其适合接口带宽受限的移动计算设备——比如轻薄本、平板甚至高端手机。

当然，铠侠也没有藏着掖着未来的规划。他们同步披露了后续的技术演进路线：第十代BiCS FLASH会把存储阵列的堆叠层数提升到332层，重点面向超大规模数据中心和高性能服务器场景，满足更高集成度、更大单芯片容量的需求。

话说回来，目前BiCS9芯片还处于客户送样阶段，量产时间、市场定价以及实测性能参数都还没有公布，搭载该芯片的终端产品也尚未发布。它在批量生产过程中的长期可靠性表现，以及跟各类主控方案的协同适配能力，还需要进一步验证。这些环节，才是真正决定一款闪存芯片能否站稳脚跟的关键。