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SK海力士V10 NAND闪存采用375层堆叠，计划2026年内量产

来源:互联网 更新时间:2026-07-27 21:41

据行业媒体报道，SK海力士下一代3D NAND闪存技术路线图进一步清晰。其继现有V9 321层产品之后的V10 NAND已完成生产验证，正准备进入量产转移阶段，目标是在

2026年内

通过升级现有产线实现大规模生产。

SK海力士V10 NAND闪存采用375层堆叠，计划2026年内量产

报道指出，V10 NAND将采用

375层堆叠设计

。据悉，SK海力士原本考虑过更激进的400层方案，但考虑到量产的技术难度和稳定性，最终选择了更为稳妥的375层设计。这标志着3D NAND堆叠层数竞赛进入新阶段，该公司未来还规划了480层乃至604层的技术路线。

关键技术材料与工艺更新

在具体技术实现上，V10 NAND引入了一项重要材料变更。SK海力士在其金属布线层中，

将部分字线材料从传统的钨替换为钼

。钼材料具有更低的电阻和更好的填充性能，有助于提升存储单元的性能和可靠性。为了配合这一材料变更，在钼沉积工艺中，SK海力士计划采用成本更具优势的TEL炉式设备，以优化制造成本。

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