芯联动力推出3300V SiC MOSFET器件，填补国内SiC器件应用关键空白

6月23日下午消息，芯联集成控股公司芯联动力宣布正式推出3300V SiC MOSFET器件。该产品填补了国内高压SiC器件在固态变压器核心功率级应用中的关键空白，是AI基础设施电源及高压宽禁带半导体领域的关键突破。

随着生成式AI算力需求呈指数级增长，单AI机柜功率密度正向兆瓦级别迈进。英伟达年初宣布推动AI数据中心供电架构向800V HVDC演进，固态变压器成为AI数据中心领域的关键环节；在智能电网与新能源领域，固态变压器同样发挥着核心作用。随着固态变压器市场的逐步起量，高压SiC器件将迎来更明确的量产需求。

据了解，此次芯联动力推出的3300V SiC MOSFET器件面向固态变压器（SST）等高压、高功率密度、高可靠性应用场景深度定制，目前已向核心客户送样验证。基于3300V器件优势形成的综合方案，可实现系统级BOM成本降低20%-35%，为固态变压器向更高开关频率、更小体积和更高转换效率演进提供核心器件支撑。

芯联动力聚焦于碳化硅（SiC） 和氮化镓（GaN） 的一站式系统解决，主要服务于新能源车、AI数据中心电源、能源与工控等领域，拥有国内首条8英寸碳化硅MOSFET产线，是国内少数实现新能源汽车主驱SiC 芯片量产的企业，目前主要布局数据中心800V HVDC的SiC及GaN解决方案、固态变压器SST器件等AIDC领域。据第三方研究平台NE时代发布2026年一季度数据，芯联动力碳化硅功率模块装机量位居国内第二，市场份额达到14.6%。