万亿市场蓄势，汽车电子头部厂商集亮相2026慕尼黑上海电

先说几个核心判断：2026年的中国汽车电子产业，正站在一个从电动化向智能化全面切换的关键路口。市场规模还在涨，技术路径在加速迭代，政策体系也在不断完善。就在这个节骨眼上，7月1日到3日，慕尼黑上海电子展（electronica Shanghai）要在上海新国际博览中心W1-W5、N1-N5展馆开幕了。

全球汽车电子市场正在飞速扩张，预计2026年全球市场规模会达到3423.7亿美元，同比增长8.4%，到2030年这个数字会进一步增长到4759.7亿美元，复合年增长率8.6%。而中国作为全球最大的新能源汽车市场，2025年汽车电子零部件市场规模已经达到1.2万亿元，占了全球大约30%的份额；到了2026年，这个数字预计会增长到1.42万亿元。

汽车已经不再是单纯的“出行工具”，而是进化成了集能源管理、AI算力、边缘计算于一体的智能终端。整车电子电气架构正从分布式ECU向“中央计算+区域控制”的软件定义汽车架构加速演进。中国汽车品牌凭借电动化与智能化全栈自研的领先优势，在存量博弈中持续挤压合资品牌份额，正从“全球最大的增量市场”升级为“全球技术创新的策源地”。所以，这一届慕尼黑上海电子展的意义，已经不只是一个展会那么简单——它是观察产业巨变的最佳窗口，也是连接创新构想与规模落地的关键枢纽。

集成电路参展企业一览

随着软件定义汽车（SDV）与集中式电子电气架构的普及，汽车集成电路正朝着更高算力、更低功耗、更强安全隔离与实时通信能力的方向演进。具体来说，汽车集成电路正加速向中央计算化、软硬解耦化与异构集成化迈进。同时，高压超充趋势推动功率与隔离芯片向耐高压、高效率方向升级。在电子电气架构上，传统数十个分布式ECU正快速向“舱驾一体”中央计算平台收敛，催生了对超高算力SoC及大带宽车规级存储芯片的爆发式需求。

与此同时，软件定义汽车促使芯片设计走向软硬解耦，标准化硬件接口与OTA远程升级能力要求芯片内置更强的功能安全（ISO 26262）与信息安全（HSM）隔离机制。为了缓解7nm以下先进制程的昂贵成本，Chiplet（芯粒）及先进封装技术开始进入量产视野，通过异构集成实现算力、成本与良率的平衡。总的来说，汽车集成电路正从分散的电子功能件，进化为高可靠性、高安全性的智能决策中枢。

针对传统算力瓶颈，德州仪器展出的TDA5高性能SoC系列打破了常规，提供了10-1200 TOPS弹性扩展算力，同时兼顾了功耗与安全优化，精准回应了急需落地SDV的车企算力挑战；其AWR2188 4D成像雷达收发器以单芯片8TX/8RX架构实现更敏锐的环境感知，为算法输出高信噪比原生数据；DP83TD555J-Q1以太网PHY通过10BASE-T1S技术将高速网络延伸至边缘节点，降低布线复杂度并保证信号完整性。

针对软件定义汽车对实时虚拟化与区域架构的需求，英飞凌将展出汽车以太网端到端方案。其AURIX™ TC4x/TC3x系列MCU支持硬件虚拟化、RISC-V扩展及AUTOSAR，面向域控、底盘与ADAS，符合ISO/SAE 21434及R155/R156标准，部分型号集成TSN/A VB硬件加速，配合DRIVECORE软件套件，支撑集中式E/E架构、OTA更新与功能安全。针对电动汽车，英飞凌还将首次以沉浸式互动大屏的方式，为现场观众全面展示领先的汽车电子解决方案。

针对多核虚拟化与内存密度瓶颈，意法半导体将展示基于ARM R52多核的Stellar系列MCU。它采用28nm FD-SOI与嵌入式相变存储器（ePCM），P/G系列支持多ASIL ECU实时虚拟化，E系列面向电气化应用，内存密度达到传统eNVM的两倍以上，配备丰富I/O与外设，完全适配现代汽车ECU解决方案。Stellar P和G产品系列集成基于意法半导体PCM技术的xMemory，其内存密度是其他eNVM技术的两倍以上，为当前和未来应用需求提供了更大的扩展空间。

针对新能源汽车高压系统对隔离驱动的高安全要求，纳芯微将展出国内首款基于全国产供应链、通过TÜV莱茵ISO 26262 ASIL D认证的隔离栅极驱动NSI6911F系列。它的峰值驱动能力达到19A，CMTI达到±150kV/μs，集成了12位高精度隔离采样ADC及米勒钳位、过温保护、可调DESAT/软关断等保护功能，专为主驱逆变器、OBC及DC-DC高压应用设计，能够灵活且有效地优化功率器件的开关性能，降低开关损耗与短路失效风险，为电驱系统提供全面保护。

针对新一代集中式电子电气架构对核心互连芯片的严苛要求，澜起科技将展出车规级时钟芯片与DDR4 RCD芯片。时钟芯片系列涵盖时钟发生器、缓冲器及展频振荡器，采用高性能PLL与低噪声技术，为ADAS域控制器、座舱域控制器及车载以太网交换机提供高精度、低相位噪声的时序信号；车规级Grade-2 DDR4 RCD芯片支持-40°C至+105°C宽温运行，可满足自动驾驶高性能计算平台对内存带宽与可靠性的严苛要求。上述系列产品为“中央计算+区域控制”的集中式电子电气架构提供了精准、可靠的互连保障。

随着全球能源结构向绿色低碳转型持续深化，光伏、储能、充电基础设施、数据中心等正加速协同发展，而新能源场景对高可靠、高集成、高智能的电源与主控芯片需求激增。面对能源产业数字化、智能化升级浪潮，兆易创新立足芯片底层技术创新，将在展会上全面展示构建MCU、模拟芯片与存储产品协同的全场景布局，形成覆盖能源控制、电源管理、数据存储的一站式解决方案，为光储充产业高质量发展筑牢技术根基。面向低空经济的蓬勃发展，兆易创新也将携一站式民用无人机芯片解决方案出席本次盛会。核心展品GD32-Betaflight飞控方案以GD32H7为主控，依托600 MHz高主频算力，为Betaflight提供强大的实时计算支撑，实现高速闭环控制与复杂信号滤波的协同优化，显著提升响应速度。同时，该方案进一步强化了高精度传感融合与稳定导航性能，增强了可视化监控与数据透明化设计，全面体现出国产高性能芯片在无人机飞控领域的算力突破与工程化竞争力。

功率半导体参展企业一览

在汽车电动化与800V高压快充趋势下，功率半导体正加速向宽禁带、高功率密度与先进封装化演进。传统硅基IGBT在高频、高温场景下的损耗瓶颈日益凸显，碳化硅（SiC）凭借更高的击穿场强与热导率，已在主驱逆变器中实现规模化替代，显著提升续航与充电效率；氮化镓（GaN）则凭借超低开关损耗，在OBC（车载充电机）及DC-DC转换器中快速渗透。与此同时，为了应对高压大电流带来的散热与集成挑战，新型封装技术成为关键突破口。顶部冷却方案通过直接传导散热，降低热阻；塑封模块（如TPAK、D2PAK）取代传统灌封模块，实现更小的体积、更低的寄生电感和更高的可靠性。此外，单管并联与功率模块集成化设计也在减少系统连线损耗，提升功率密度。总体来看，功率半导体正从单一器件升级为系统级效率与热管理的核心赋能者，支撑800V平台持续降本增效。

针对电动车主驱逆变器对高功率密度与散热优化的需求，安森美为汽车和工业应用开发的智能电源和感应方案将亮相现场。其展出的采用行业标准T2PAK顶部冷却封装的EliteSiC MOSFET系列（650V/950V），为800V架构提供增强散热、可靠性与设计灵活性，应用于电动汽车、太阳能及储能等高功率、高电压应用场景，提供增强的散热性能、可靠性和设计灵活性，全面赋能可扩展的电动/混合动力总成及所有电压域的现代电动汽车架构。

针对牵引逆变器小型化与低损耗难题，罗姆半导体将展出新一代TRCDRIVE pack™ SiC 功率模块、650V GaN 开关器件、ADAS车载专用PMIC芯片。其中TRCDRIVE pack™塑封SiC功率模块，搭载第4代低导通电阻SiC MOSFET，实现普通封装1.5倍的超高功率密度；模块顶部配备Press fit pin信号引脚，从上方按压即可连接栅极驱动板，减少安装工时；双层布线结构将电感降至5.7nH，有效降低开关损耗，助力xEV逆变器显著小型化。

针对车载充电、热管理及辅驱系统对高效率与小体积的需求，方正微推出的1200V/35mΩ及60mΩ的三相全桥SiC功率模块DIP32，是全自研国产车规级SiC芯片，模块满足AQG-324标准，集成NTC温度监测。相比传统Si IGBT方案，其总损耗降低30%以上，综合效率提升超过2%；相比单管方案PCB面积减小50%以上；低杂感设计降低EMC，高热导率衬板降低系统热阻15%-35%。

无源元件参展企业一览

在800V高压平台与智能驾驶高算力域控的驱动下，无源元件正朝着高耐压、高容值、小型化及车规级可靠性方向加速演进。MLCC（片式多层陶瓷电容器）需要在有限的PCB面积内实现更高静电容量，同时满足X8R/X9R等高温稳定性要求，以应对功率模块的严苛热环境。铝电解电容器则聚焦于低ESR（等效串联电阻）与长寿命设计，并在强制冷却条件下保障纹波电流承受能力。薄膜电容器凭借优异的自愈性与耐压特性，成为800V母线滤波的主流选择。电感与磁性元件则追求毫秒级瞬态响应、低磁芯损耗及零缺陷可靠性，以支撑高频DC-DC变换器与EMI滤波。此外，表面贴装与模块化集成成为趋势，旨在减少寄生参数、提升功率密度，并满足AEC-Q200等车规认证的严苛要求。总之，无源元件正从被动附属角色转变为系统效率与可靠性的关键支撑。

针对OBC直流母线的高电压、大纹波电流与紧凑空间需求，TDK推出B43655（475V/500V，110-880µF）与B43656（450V）系列铝电解电容器，专为底部散热设计，+105℃下寿命超过3000小时，最大纹波电流达到4.42A，ESR低至100mΩ，满足800V电池架构及高功率拓扑的严苛要求。

针对ADAS/自动驾驶IC周边及电源线路对MLCC高容值小型化的需求，村田已量产的7款车载MLCC低额定电压（2.5-4V）系列将100µF从1210inch缩小至1206inch，PCB占用面积减少约36%；中额定电压（25V）系列用于电源线路，为IC周边及电源分配提供特大静电容量，助力高集成度设计。

针对汽车制动、变速及悬挂系统对电磁阀线圈的响应速度与可靠性要求，顺络电子推出的创新电磁场优化设计的线圈，电磁力输出波动小于±3%，响应时间缩短至3ms，满足-40℃至150℃ AEC-Q200环境标准。其全自动化产线与MES系统实现全过程质量监控与缺陷预防，确保产品一致性。

连接器参展企业一览

在800V高压平台与L3以上自动驾驶的双重驱动下，汽车连接器正朝着高压化、高频化、功能集成化与超高可靠性方向快速演进。高压侧，连接器需要耐受更高电压与爬电距离，同时重点应对碳化硅（SiC）模块高速开关带来的高频电磁辐射，通过增强屏蔽设计与集成高压互锁回路（HVIL）确保安全断开与人员防护。低压侧，为支撑线控转向、线控制动等Fail-Operational系统，连接器需在双独立电源轨间实现毫秒级动态平衡，保障冗余供电与容错能力。与此同时，高速数据连接器（如Fakra、Mini-Fakra、HSD、以太网连接器）需求激增，以支撑多传感器融合与域间高带宽通信（>10Gbps）。此外，连接器正朝着模块化、小型化与端子集成方向发展，以减少占板面积并简化装配。材料方面，高性能耐高温塑胶与低接触电阻合金成为标配，确保在振动、热循环及腐蚀环境下实现零缺陷可靠性。可以说，连接器正从简单电气接口演变为能量与数据融合的关键枢纽。

针对800V高压系统能量分配安全与自动驾驶容错供电，安波福将展出支持V2X功能的双向OBC高压互连系统及大电流低压配电产品组合。高压侧连接器采用高精度屏蔽与HVIL设计，隔离SiC高频辐射；低压侧60-300A配电方案可在双独立电源轨间实现毫秒级动态平衡，避免单一电路故障导致转向、制动或智驾域控瞬间失电的致命工程风险。

针对高压接触器触点粘连、恶劣工况冲击断电及平台升级空间受限三大痛点，泰科电子推出新一代EVC系列抗粘连高压接触器，抗粘连结构与复合材料能够杜绝大电流粘连风险；XYZ三轴50G抗冲击能力远超行业20G标准，适应复杂路况；200-400A载流下尺寸不变，EVC400体积较同类减少39%，并支持PWM线圈低能耗驱动。在满足正常载流能力、极限分段能力和极限短路能力等多项核心指标的同时，TE Auto通过高性能抗粘连设计延长产品电气寿命，实现降本与增效的双重突破。

针对区域架构中线束重量、尺寸与集成度挑战，Molex推出MX-DaSH模块化线对线连接器，将电源、信号和高速数据集成于单一非密封混合卡盒平台。通过更换内部卡盒可灵活添加新功能或调整引脚，大幅缩短设计与模具开发周期。该方案适用于仪表板-车身线束连接、座椅信号等场景，显著减轻线束重量与尺寸，优化区域架构中的高功能连接点效率。

汽车主题活动

为了深化行业人士对汽车相关领域的认知，聚焦新能源汽车与智能汽车技术迭代趋势，本届展会重磅打造了多场汽车相关核心主题论坛。论坛汇聚了行业资深专家、头部企业代表，围绕前沿技术、市场趋势、场景创新、量产落地等核心维度展开深度分享与研讨，为汽车电子产业链上下游搭建了高效交流、技术互通的优质平台。