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三星与英伟达深化合作，HBM内存与芯片代工订单全面扩展

来源:互联网 更新时间:2026-08-03 21:17

近日，三星电子与英伟达高层在首尔举行闭门会议，双方合作关系迎来显著升级。此次会晤不仅巩固了在高带宽内存领域的合作，更将合作范围全面扩展至晶圆代工业务，涉及自动驾驶、AI推理等多个关键领域。

三星电子设备解决方案事业部负责人透露，双方的合作已远远超越HBM存储器领域。目前，三星正在利用其4纳米和8纳米工艺节点，为英伟达生产自动驾驶芯片及翻跟斗芯片。其中，

4纳米工艺主要用于满足高阶自动驾驶对高算力的需求

，而8纳米成熟工艺则有助于在性能与成本之间取得平衡。

在AI推理芯片代工领域，三星已取得实质性进展。三星晶圆代工目前已是英伟达4纳米工艺Groq 3 (LP30) LPU芯片的合同制造合作伙伴。针对英伟达未来规划的Rubin世代LP35 LPU和Feynman世代LP40 LPU芯片，双方正在积极探讨后续生产合作事宜。

双方的合作着眼于长远。三星高管表示，会谈不仅涉及短期的HBM4供应，还广泛讨论了涵盖HBM4E、HBM5以及下一代芯片代工的长期联合发展计划。

。随着英伟达计划在2026年第三季度全面交付Vera Rubin平台，三星HBM4的良率与产能将成为关键因素。

尽管未透露是否已签署长期供货协议，但三星方面强调，将通过HBM和代工业务的实际成果来证明自身竞争力，并期待双方合作持续深化。这一系列合作动向，预示着两家科技巨头在AI硬件生态中的绑定将更加紧密。