来源:互联网 更新时间:2026-08-20 15:30
8月20日消息,
在传统半导体设计中,供电与信号互连均位于芯片正面,随着制程微缩,两者争夺有限布线空间,导致线路拥塞与电压下降问题。

A16将供电路径完整移至芯片背面,通过专用接点直接连接晶体管源极与汲极,仅在正面进行最小幅度调整,仍能维持与既有芯片设计的相容性。
性能方面,A16相较N2P制程在同等功耗下运算速度提升8%至10%,维持相同速度时功耗可降低15%至20%,芯片密度提升8%至10%。这些改进尤其适合AI加速器和高性能计算等对算力与能效要求极高的芯片。
A16预计于今年第四季度启动量产,有望率先应用于英伟达等AI芯片客户的下一代产品。

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