SK海力士公布DRAM产能扩张路线图，目标2030年月产百万晶圆

全球半导体产业正迎来新一轮产能布局调整。近日，韩国存储芯片巨头SK海力士公布了其雄心勃勃的DRAM产能扩张计划，目标直指2030年月产能达到百万片晶圆级别，引发业界广泛关注。

根据市场研究机构TrendForce的报告，SK海力士已向主要供应商分享了详细的产能提升路线图。其核心目标是，在2030年至2031年期间，将DRAM总产能提升至当前水平（约每月55万片晶圆）的近两倍。这一规划与集团高层此前在公开场合的表态高度一致，显示出公司对DRAM市场长期需求的坚定信心。

龙仁半导体集群成为产能扩张核心

此次大规模扩建的核心区域，是位于韩国京畿道龙仁市的超大型半导体制造园区——龙仁半导体集群。据悉，该园区内的首座晶圆厂将配备六间洁净室，且

多线并举，明确聚焦DRAM产品

除了龙仁集群，位于韩国忠清北道清州市的M15X工厂也承担了部分产能扩充任务。该工厂计划于2026年下半年开始运营，初始产能为每月4万片晶圆，并计划在2027年将产能翻倍至每月8万片。值得注意的是，

与DRAM业务的激进扩张形成对比的是，SK海力士在另一核心业务NAND闪存上的策略则有所不同。公司表示，NAND业务的战略重点并非快速扩张产能，而是专注于技术迭代与升级，例如通过增加堆叠层数来提升产品性能和密度。这种差异化的资源配置，反映了公司对不同存储技术市场前景和竞争格局的研判。