铠侠推全球容量密度最高的QLC闪存：332层比三星400层都要强

8月5日消息，NAND闪存在进入3D堆栈时代之后，层数越高通常密度就会更高，现在已经做到400层以上了，但铠侠不想再玩层数游戏，其332层的闪存密度都能做到世界最高。

铠侠前身是日本东芝公司的闪存部门，也是NAND闪存的发明人，现在是跟闪迪公司合作研发、生产闪存，其技术路线BiCS相比三星、SK海力士、美光等公司有独到之处，容量密度一向很强。

现在三星等公司正在把闪存层数堆向400层以上，但铠侠这方面比较保守，

根据铠侠之前的说法，332层的铠侠闪存层数比友商少了23%，但GB成本反而低了10%不到，能效提升了10%以上，可靠性提升35%以上。

但是关键的容量密度指标之前没有公布，在日前的FMS会议上铠侠终于公布了，

相比之下，三星的V10代TLC闪存密度28Gb/mm2，但层数超过400，SK海力士的Gen9代TLC、QLC密度才20、21Gb/mm2，层数是276、321层。

总之，铠侠新一代闪存在不堆层数的情况下做到了世界最高密度，尽管是用QLC打友商的TLC闪存不太光彩，但三星的密度即便推算到QLC上，跟铠侠也就打个平手，铠侠宣传自己用更低的层数做到了更高的密度，这点上是有两把刷子的。

但是也要看到，三星、SK海力士的300-400层闪存已经是出货中或者试样了，铠侠目前还没完全发布新产品，量产时间也要晚一些，这方面的差距也不能忽视，毕竟友商的新品要是来了，密度差距还是会缩小的。