冲击全球首发！长鑫LPDDR6开启风险试产：有望数周内大规模量产

来源:互联网 更新时间:2026-08-05 11:44

8月5日消息，

长鑫存储旗下的最新LPDDR6内存项目取得重大进展，目前已进入风险试产阶段，

在制造工艺与技术迭代进度上，基本追平三星、SK海力士、美光等国际存储巨头。

据透露，长鑫目前正积极向主流手机厂商和计算平台分发样品进行验证，

此前国内存储厂商在先进标准上的跟进速度往往滞后于国际巨头半年以上，此次长鑫LPDDR6的试产，意味着国产内存在低功耗、高带宽技术领域已成功跻身世界前列，大幅缩短了与全球顶尖水平的时间差。

具体规格方面，

而普通LPDDR6的基准速率为10.7Gbps，目前的LPDDR5X也只有在极限超频状态下能达到10.7Gbps，这意味着新一代内存即便在常规状态下，带宽性能也比上一代提升了约20%。

该芯片单颗容量为16Gb（折合2GB），封装形式则选用了PoP（堆叠封装），简单来说，这种技术通过1295针BGA球栅阵列，实现了内存与处理器的纵向堆叠，能进一步优化智能手机等移动端设备的内部空间占用。

伴随端侧大模型快速普及，手机、AIPC对内存带宽的需求暴涨，

长鑫提前布局新一代移动内存，对国内半导体供应链安全具备现实意义。

三星、SK海力士虽已在研发14.4Gbps更高规格LPDDR6产品，但长鑫12.8Gbps版本更贴合现阶段市场的实际量产落地需求，