全力赶工！英特尔发放加班费加速俄亥俄晶圆厂：EMIB-T封装良率逼近90%

8月2日消息，据媒体报道，

与此同时，英特尔的EMIB-T先进封装技术也取得重要进展，目前唯一悬而未决的关键瓶颈在于基板良率。

EMIB（嵌入式多芯片互连桥接）技术通过在有机基板中嵌入微型硅桥，在单个处理器封装内连接多个芯粒。该方案仅在芯粒与硅桥相连的边缘区域布置高密度微凸点，从而实现高速互连。而EMIB-T则进一步引入贯穿硅桥的硅通孔（TSV），这些垂直通道可直接从封装底部向堆叠的处理器或内存传输电力与高速信号，支持三维芯片堆叠。

值得注意的是，

EMIB-T所用基板包含三层关键结构：基础有机基板面板，由Ibiden（核心供应商）、Shinko、Unimicron和AT&S等厂商制造，面板内设有精密凹槽以安置硅桥；覆盖于硅桥上方的介电层堆叠，采用业界标准的味之素积层膜（ABF）；以及内含TSV的硅桥本身，用于垂直信号与电力传输。

目前基板环节拖慢了EMIB-T的大规模封装服务进度。供应商Unimicron近期表示，EMIB-T仍处于早期发展阶段，当前工作重心是快速提升产能并改善良率。