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进一步增强逻辑性能：三星电子计划在 HBM5 内存导入 2nm 基础裸片

来源:互联网 更新时间:2026-07-27 12:40

구자흠还提到，

HBM5的运行速率预计将比HBM4E提升50%以上

，其基础裸片会支持更高密度的硅通孔（TSV），以满足行业对带宽和性能的进一步需求。选择2nm作为基础裸片工艺，目标很明确——

在性能和能效两个维度上实现显著突破

。

作为对比，三星电子的HBM4和HBM4E都配备了4nm基础裸片，但两个版本的基础裸片其实有差异。三星充分发挥了自家4nm节点的灵活性优势：

在HBM4E基础裸片上使用了高密度、超高性能器件

，从而实现了14+ Gbps的高速运行；同时，

金属层的排列方式更高效

，在降低功耗的同时优化了散热路径。这些细节可以看出，三星在基础裸片上的迭代思路是渐进但扎实的。

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