来源:互联网 更新时间:2026-06-08 16:32
6月8日消息,
此次交付的设备型号为PL-AS真空气压式纳米压印光刻机,全程绕开深紫外光刻路线,实现8英寸光芯片晶圆规模化量产。

该半导体级设备线宽分辨率小于10nm,晶圆整面压印压力均匀性误差低于 0.5%,同时支持无残余层压印工艺。
对比辊压工艺,该方案规避线接触带来的形变问题;相较步进式设备,全域压印模式大幅提升量产效率。
它可实现跨尺度微纳结构一次成型,省去多道复杂光刻工序,在简化流程的同时保障产品生产良率。
本次合作聚焦激光雷达芯片量产,助力力策科技旗下光学相控阵芯片,面向车载、智能终端市场规模化落地。
技术层面,通过8英寸规模化量产验证,证实了国产纳米压印可在光芯片制造中稳定替代DUV工艺。
目前这套纳米压印方案,已在光通讯化合物芯片、硅光环形导光结构芯片领域完成量产验证。

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