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突破瓶颈！我国激光雷达GaN驱动芯片取得新成果

来源:互联网 更新时间:2026-05-27 10:11

5月27日消息，据媒体报道，激光雷达（LiDAR）正加速赋能高级驾驶辅助系统、机器人导航及无人机测绘等高精度三维感知场景。传统硅基功率器件在此类应用中面临明显性能瓶颈，而基于氮化镓（GaN）的激光二极管驱动器（LDD）凭借其高开关速度优势，为高分辨率、远探测距离的LiDAR系统提供了关键支撑。

近期，电子科技大学集成电路学院张波教授领衔的功率集成技术实验室取得了重要进展。

其中，明鑫教授课题组长期专注于高速MHz级单通道GaN驱动器设计，已在领域内国际权威期刊及顶级会议上发表多篇高水平论文。

研究表明，在高频（MHz级）、窄脉宽（ns级）工作条件下，栅极驱动环路的寄生电感（Lg）会限制主开关管（MCTRL）的开关速度，并引发栅压振铃，进而导致误开启或过压风险。

为解决这一根本性问题，团队探索了将预驱动电路与MCTRL单片集成的新型技术路径。

相关工作获得了国家重点研发计划、国家自然科学基金、广东省基础与应用基础研究基金等项目的支持，并与企业合作推进成果转化，已助力相关公司推出高速GaN驱动量产芯片。

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