来源:互联网 更新时间:2026-04-01 19:29
4月1日消息,据媒体报道,
随着人工智能从生成式迈向智能体(Agentic AI)时代,内存正成为制约发展的关键瓶颈。金正浩认为,这一转变的核心在于“上下文工程”的兴起,AI需要同时处理海量文档、视频及多模态数据。
为支撑这一趋势,
在此背景下,金正浩指出,当前通过堆叠DRAM实现超高带宽的HBM产品,或难以满足智能体时代的需求。他重点看好HBF(High Bandwidth Flash,高带宽闪存)技术。
作为一种新型存储方案,HBF通过堆叠NAND闪存替代DRAM,构建类似“巨型书架”的长期存储体系,在容量上实现数量级跃升。
这一构想已在产业界初现端倪。今年2月,SK海力士在提交至电气与电子工程师学会(IEEE)的论文中提出了“H3架构”,混合配置HBM与HBF。
论文指出,HBF相比HBM带宽相当、容量更大,但访问延迟更长、写入耐久性更差、功耗更高。因此,H3将HBF作为HBM的“二级扩展”,HBF负责存储只读数据,HBM负责其余数据。
金正浩预计,HBF工程样品有望在2027年前后面世,谷歌、英伟达或AMD等厂商最快可能在2028年开始采用该技术。围绕HBF的竞争或将重演HBM时代的格局,三星电子与SK海力士有望再度正面交锋。

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