铠侠：BiCS 9/10代闪存双轴并进、QLC不会完全淘汰TLC

4月1日消息，近日，一年一度的CFMS | MemoryS 2026闪存市场峰会在深圳举办，盛况空前，不但有主控、闪存芯片、SSD等相关的大量存储厂商，还吸引了桌面和移动芯片、云服务、测试、汽车等领域的众多厂商。

从技术演进看，他认为

KV Cache(键值缓存) 是大模型(尤其Transformer架构)推理时的核心加速技术，本质上就是将注意力机制中已计算的Key/Value向量放入缓存，从而避免重复计算，加速生成，支撑更长的上下文，可以理解为“

正因如此，KV Cache需要占用大量的显存和存储空间，尤其是对存储提出了更高的要求。

Storage-Next是NVIDIA主导的下一代AI原生存储架构，核心是让GPU直接发起存储I/O请求，从而绕过CPU，实现超高IOPS、超低延迟，解决大模型推理的数据瓶颈。

铠侠针对性地开发了

大高容量方面铠侠有

它们都支持PCIe 5.0，符合NVMe 2.0、NVMe-IM规范，支持FDP，现已提供样品。

至于SSD淘汰替代HDD，铠侠并未展开明说，只是规划中，但这显然是一个长期的过程，甚至无法完全替代。

在闪存技术层面，铠侠近几年使用最广泛的是成熟的112层堆叠第五代闪存BiCS 5，而218层堆叠的第八代BiCS 8也开始逐渐普及。

BiCS 9/10都引入了CBA技术，将闪存单元、控制电路分别放在不同晶圆上，然后双晶圆键合组成整体。

BiCS 9复用现有的闪存单元，还是218层，降低成本，控制电路则升级最新的CMOS工艺，I/O速度更高，提升性能，从而以较低成本实现更高性能，也就是降本增效。

BiCS 10则是全方位升级，堆叠可达332层，同等容量的闪存单元尺寸更小，存储密度大幅增加59％，I/O速度进一步提升33％而达到4800MHz，读写吞吐量分别提升超过10％、15％，读写数据传输的能效也提升超过15％。

铠侠认为，

BiCS 9/10都可以同时做出TLC、QLC闪存，而在当下，尤其是AI对于大容量存储的需求越来越迫切，QLC正逐渐成为整个行业的重点

对于QLC和TLC的生存关系，铠侠认为，QLC闪存虽然无法摆脱读写次数相对较少的天然缺陷，但

因此，

在消费类产品方面，铠侠也有基于第八代BiCS 8 QLC闪存的UFS 4.1产品，已经批量生产并投入市场，专为读取密集型应用和大容量存储需求而设计，容量512GB、1TB，顺序写入提升25％，随机读写提升90％、95％，写入放大系数最高3.5倍。

铠侠表示，将继续通过分析每种应用场景的实际情况，为全球提供最适合不同领域的QLC产品。

对于整个存储行业的形势，当下的缺货行情被很多人认为是“十多年未见”，尤其是大量产能转向数据中心，导致消费级存储产品缺货、涨价更为严重。

对此，铠侠认为

铠侠强调，尽管AI领域非常火热，但是

铠侠将根据市场的增长情况，相对应地增加产量，并通过监测应用需求趋势和平衡，优化产品销售组合。