HBM之外再落一子！SK海力士启动3D堆叠DRAM开发

7月24日消息，

从SK海力士发布的招聘信息来看，公司正在美国圣何塞招募3D堆叠DRAM-on-Logic设计工程师，岗位职责包括与美国客户密切合作，主导相关逻辑芯片的联合设计。

SK海力士之所以押注这项技术，主要是因为端侧AI设备对内存提出了更高要求，随着生成式AI逐步进入智能手机、可穿戴设备、机器人等终端，本地运行AI模型需要更高带宽、更低功耗以及更紧凑的芯片方案，传统封装方式正越来越难满足需求。

业内普遍认为，手机处理器将是这类技术最有希望率先落地的场景之一，手机处理器本身就是终端设备的核心计算芯片，苹果、高通等厂商也一直在推动更先进的工艺和封装，以提升端侧AI能力。

今年4月，SK海力士管理层也曾公开提到，除了定制化HBM之外，公司还在推进高带宽闪存HBF以及3D堆叠DRAM-on-Logic等新方案，目标是针对不同AI负载提供更合适的存储产品。

整体来看，如果说HBM主要受益于数据中心AI，那么3D堆叠DRAM瞄准的则是智能手机、可穿戴设备和机器人等端侧AI市场。

SK海力士此次启动相关人才招聘，也释放出一个明确信号，下一代AI内存之争，正在从云端延伸到终端。