超60%的V-NAND产能给英伟达，三星加速V9、V10闪存布局

7月20日，韩国媒体sedaily爆出一则消息：三星正在大幅扩大与英伟达在NAND闪存供应上的合作，目前已经向后者供应超过60%的V-NAND产能。这个比例相当惊人，几乎可以理解为三星的V-NAND产线，有很大一部分是在为英伟达“代工”。

先简单科普一下什么是V-NAND。它不是普通的闪存，而是一种通过纵向堆叠存储单元来提升容量和密度的架构。和传统的平面NAND相比，在同样的芯片面积上，V-NAND可以塞进更多存储层，这直接决定了企业级SSD、数据中心存储以及高容量移动存储产品的性能上限。

情况是这样的。随着AI服务器规模的持续扩大，临时上下文数据也在爆炸式增长，数据瓶颈开始成为新的制约因素。英伟达想通过一种叫做Context Memory Storage（CMX）的方案来缓解这个限制，三星就成了这个方案的核心NAND供应商。

我们来算一笔账。英伟达目前用于AI服务器的CMX，单台就搭载了576块SSD，总存储容量达到9600TB。业内预计，CMX对NAND的需求在2026年会达到3500万TB，而到了2027年，这个数字将直接飙升到1亿TB以上。这是什么概念？三星今年全年的NAND总产量估计也就2.5亿TB左右。也就是说，光是英伟达一家，未来几年就可能吃掉三星将近一半的产能。三星自然不可能放过这个机会，已经明确表示要凭借世界一流的产能，成为英伟达CMX的核心供应商。

三星押注英伟达的CMX赛道

在产线规划上，三星的思路非常清晰。目前三星电子的V-NAND产能每月已经超过10万片晶圆，其中V9占比高达60%，良率也稳定在80%以上，进入了量产稳定期。而V8的占比已经降到40%以下，产能正在快速向V9转移。

这还不是终点。消息称，V10将提供更高的堆叠层数，让英伟达能够在同一CMX模块内配置更高容量的SSD，从而进一步承接GPU外溢的上下文数据。换句话说，V10就是为CMX体系量身定做的下一代产品。

从V9到V11，技术路线清晰可循

技术上，三星正在为英伟达的CMX系统量身定制全新的V11 NAND。据称其最高堆叠高度可达500层——比V10又多出100层。而V10本身的存储密度，已经比V9提升了50%。

整体来看，三星在闪存这个赛道上，已经不只是“卖芯片”那么简单了。它正在通过与英伟达的深度绑定，从一个零部件供应商，变成AI基础设施的关键一环。而英伟达的CMX，显然也需要一个能稳定提供海量、高性能闪存芯片的合作伙伴。