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内存一路涨：2030年缺口达28.7EB！长鑫扩产追平美光也填不满

来源:互联网 更新时间:2026-07-15 15:32

7月15日消息，近期Citrini的报告指出，长鑫存储的产能正迎来爆发式增长，然而同一份报告还指出，

即便将中国厂商的产能扩张全部计算在内，2030年全球DRAM仍将面临28.7EB的供应缺口，几乎等于目前全球DRAM总产能。

Citrini的研究指出，长鑫存储的DRAM产能有望新增60万至110万片晶圆/月，总产能达到95万至145万片晶圆/月。

其中2026年底前就能实现35万片晶圆/月的产量，而美光今年预期的产能约为37.5万片晶圆/月，意味着一家国产存储厂商将在很短时间内追平美光。

但产能扩张赶不上需求膨胀，Citrini预测2030年全球DRAM总需求将高达157.5EB，供应缺口达28.7EB。

作为参照，今年全球DRAM产能仅约40EB，这一预测涵盖HBM和DRAM，其中通用DRAM是主要瓶颈。

具体而言，预计通用DRAM市场将出现25%的缺口，年供应量91EB对应年需求量120EB，DRAM均价将维持高位，大概率停留在每Gb 1.5至2.0美元区间。这与SK海力士CEO本周早些时候发出的“2030年DRAM紧缺”警告相互印证。

这一估计目前尚未计入物理AI（如人形机器人和自动驾驶汽车）的需求，分析师Zephyr认为即便数据中心和AI需求预估偏高，物理AI的需求增长也会将其抵消。

需求结构同样不容乐观，研究图表显示，预期消费端需求（即普通用户购买内存条等产品的需求）占比比未满足需求的部分还要小。

对于消费者而言，国产内存产能暴增是好消息，但在AI吞噬一切的大趋势下，买内存可能只会越来越贵。

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