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华为小米研发LLW内存技术,手机AI性能或将提升1.5倍

来源:互联网 更新时间:2026-07-12 21:07

随着手机端侧AI大模型的快速普及,内存带宽不足正成为制约体验提升的关键瓶颈。近日,有科技媒体援引爆料称,华&为、小米等中国手机厂商正在研发一种名为“低延迟宽字节DRAM”(LLW)的新型内存技术,旨在为移动AI应用带来质的飞跃。

华&为小米研发LLW内存技术,手机AI性能或将提升1.5倍

传统的高带宽内存(HBM)虽然性能强大,但由于智能手机内部空间紧凑且散热问题难以解决,一直无法在移动设备上落地。而LLW技术采用了类似HBM的整合式设计思路,但并非真正的HBM,而是专门针对手机受限的空间与散热条件定制的版本,目标直指现有LPDDR内存的性能瓶颈。

性能与功耗的双重突破

根据爆料信息,LLW内存理论上能够带来约

1.5倍的性能提升

,同时将功耗降低

50%

。尽管原始报道未明确指出比较基准,但外界普遍假设是以当前主流的LPDDR5X内存为参照。这意味着如果参数属实,未来手机在运行大型AI模型时,不仅运算速度会大幅提升,发热控制和续航表现也将得到显著改善。

为端侧AI发展铺平道路

业内分析指出,随着手机端侧AI模型参数不断攀升,单纯提升NPU算力已经无法满足需求,内存系统正成为最大的短板。LLW等新型内存技术的出现,有望从根本上缓解这一矛盾,为更复杂、更强大的手机AI应用铺平道路。不过,该技术目前仍处于传闻阶段,其商用时间预计在

2027年下半年

,量产良率、成本控制和生态适配等关键问题都尚未明朗,所有细节仍有待官方和供应链的进一步证实。

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