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英特尔18A-P工艺进入风险生产阶段,能效提升显著

来源:互联网 更新时间:2026-07-11 21:20

英特尔近日在2026年VLSI Symposium半导体研讨会上更新了其工艺路线图,并宣布其

18A-P工艺已正式进入风险生产阶段

。这一进展标志着英特尔在先进制程技术上的持续推进,为后续的量产与应用奠定了基础。

英特尔18A-P工艺进入风险生产阶段,能效提升显著

风险生产阶段是全新工艺技术迈向大规模量产的关键一步。在此阶段,晶圆厂将生产首批供客户测试的芯片,主要用于工程验证和早期认证,以帮助客户优化设计并调整良率。虽然此时的良率尚未达到最大规模量产的标准,但标志着技术已初步稳定。

18A-P工艺的核心性能提升

作为英特尔18A家族的首个性能增强版本,18A-P工艺旨在方便客户复用现有的IP与设计流程。根据官方公布的数据,该工艺在

同性能下,功耗可降低18%

;而在

同功耗下,性能则可提升9%

。这一显著的能效改进,使其特别适合对频率和能效都有严苛要求的先进芯片设计。

工艺层面的具体优化措施

为了实现上述提升,英特尔在工艺层面引入了多项关键技术。首先,推出了名为

Power Boost的双接触、低电阻晶体管选项

,该技术可在匹配电容的条件下,有效提升驱动电流和频率。其次,英特尔改善了20%至40%的热阻,并优化了10%至30%的通孔电阻,这些改进有助于芯片在运行时拥有更好的热特性。此外,工艺中还加入了第五种逻辑Vt组合,为设计者在平衡速度与功耗时提供了更大的灵活性。

总体来看,英特尔18A-P工艺的推进,不仅展示了其在制程技术上的持续创新能力,也为未来高性能、高能效芯片的开发提供了新的工艺选择。随着风险生产阶段的顺利进行,业界将密切关注其后续的客户反馈与量产进程。

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