您的位置：首页 > > 教程攻略 > 热点新闻 >新型V-Die与MOSAIC内存方案亮相侧立DRAM设计显著提升AI计算带宽与散热效率

新型V-Die与MOSAIC内存方案亮相侧立DRAM设计显著提升AI计算带宽与散热效率

来源:互联网 更新时间:2026-07-11 12:07

在近期举行的IEEE/JSAP超大规模集成电路技术研讨会上，研究人员提出了两种旨在突破当前高带宽内存（HBM）技术瓶颈的新型解决方案。据悉，这两种方案的核心创新在于将DRAM芯片从传统的向上堆叠改为侧立放置，以应对高堆叠带来的散热挑战。

其中，V-Die方案通过竖直放置DRAM裸片，并采用底边I/O连接替代硅通孔，同时集成液冷通道。仿真数据显示，该方案在等容量下连接数量可达HBM4的4倍，读取时间降低37%，并将首Token时延降低约32%。微流体冷却技术还能将堆叠温度稳定在约45°C。

另一种名为MOSAIC的方案，则侧重于提升侧立堆叠的制造可行性。它采用正交堆叠与无接触互连技术，利用微型感应线圈传输信号。据悉，其原型接口速率最高达4 Gbps每通道，并有望实现HBM4两倍的内存容量。相关演示显示，其堆叠对准误差控制在6微米以内，热导率可达传统堆叠的3倍。

相关攻略

1 次元破壁！致态携吹雪&《凡人》动画双IP联名燃爆2026 BilibiliWorld 07-11

1

次元破壁！致态携吹雪&《凡人》动画双IP联名燃爆2026 BilibiliWorld

07-11
2 名创优品紧急捐赠价值三百万元应急物资驰援广西洪涝灾区 07-11

2

名创优品紧急捐赠价值三百万元应急物资驰援广西洪涝灾区

07-11
3 来自五星大饭店的忠告 07-11

3

来自五星大饭店的忠告

07-11
4 西班牙半决赛2:1绝杀比利时 AI与人类嘉宾预测罕见达成高度一致 07-11

4

西班牙半决赛2:1绝杀比利时 AI与人类嘉宾预测罕见达成高度一致

07-11
5 淘宝闪购骑士制服获国际设计大奖！ 07-11

5

淘宝闪购骑士制服获国际设计大奖！

07-11
6 65nm做AI芯片能效远超A100！SK海力士这次玩大了 07-11

6

65nm做AI芯片能效远超A100！SK海力士这次玩大了

07-11
7 印度眼红中国实现火箭回收：我们还要好几年 07-11

7

印度眼红中国实现火箭回收：我们还要好几年

07-11
8 世界杯进入六强阶段AI预测冠军名单经历洗牌巴西出局法国领跑 07-11

8

世界杯进入六强阶段AI预测冠军名单经历洗牌巴西出局法国领跑

07-11
9 NVIDIA RTX 5070Ti SUPER前瞻明年CES见 07-11

9

NVIDIA RTX 5070Ti SUPER前瞻明年CES见

07-11
10 飞牛私有云发布鸿蒙原生App内测招募旨在解决安卓兼容层问题提升体验 07-11

10

飞牛私有云发布鸿蒙原生App内测招募旨在解决安卓兼容层问题提升体验

07-11

新型V-Die与MOSAIC内存方案亮相侧立DRAM设计显著提升AI计算带宽与散热效率

热门资讯

热门手游

相关攻略

热门专题

新型V-Die与MOSAIC内存方案亮相 侧立DRAM设计显著提升AI计算带宽与散热效率

热门资讯

热门手游

相关攻略

热门专题

新型V-Die与MOSAIC内存方案亮相侧立DRAM设计显著提升AI计算带宽与散热效率