来源:互联网 更新时间:2026-07-08 15:18
先从最近的3D NAND技术聊起。这项技术,其实是目前半导体存储里头,确定性最强的一个增量方向。简单说,就是固态硬盘(SSD)和存储芯片内部,正在发生一场"垂直革命"。
NAND,全名是NAND Flash,也就是我们常说的闪存。它的存储单元在电路设计上,串联成一个类似"与非门"的结构,所以得了这个名。
传统的2D NAND,是在同一个平面上一格一格地放存储单元。但随着工艺越做越小,物理极限摆在那,平面微缩越来越难。于是,大家开始往"高处"发展——这就是3D NAND。本质上是把存储单元像盖楼一样,一层一层往上堆叠,用层数来换取存储密度。
目前,3D NAND的堆叠层数已经从200多层层往上爬升,一路奔向375层、480层,甚至604层,这个路线已经非常清晰。每往上堆一层,里面的字线(Word Line)就得更细、更长、更深,这直接催生了一个核心需求:字线金属材料,从钨换成钼。
字线是什么?可以把它理解成3D NAND这栋"几百层高楼"里,每一层的水平控制线路。它连接着每层楼的"存储房间"(存储单元)的控制栅极,负责为读写操作选通某一层。
打个比方:字线就好比每层楼的"电线总开关"。你要读写哪一层的数据,就通过字线给那一层通电,把它选中。
问题出在层数多了以后。字线越来越长(L增加),截面积却越来越细(A减小)。在这种情况下,传统的钨金属电阻急剧飙升,信号延迟、发热问题接踵而至。相比之下,钼的电阻率更低,而且不需要加额外的阻挡层,自然而然就成了高层堆叠的必然选择。

图:AlphaClaw总结
产业信号已经非常明确。比如,SK海力士375层3D NAND的生产验证,已经在6月11日完成,计划年底在清州M15工厂正式量产。这意味着"钼替代钨"不再是什么远景概念,而是正在落地的产业拐点。

图:AlphaClaw总结
这里有个关键点:3D NAND中用的半导体级钼,跟工业用的钼完全是两个概念。它要求超高纯度,通常是纯度5N(99.999%)以上的钼粉。二者产品形态不同,也基本不互通。
3D NAND的字线制造,用的是"替换栅"工艺。先把牺牲层(通常是SiN)挖掉,留下极窄极深的空腔,再往里面填充金属。这个填充动作,用到的是气相前驱体。因此,核心受益品种是:钼前驱体。
半导体级钼前驱体的全球市场,目前规模极小。但根据产业节奏,预计2027到2028年会进入快速放量阶段。
具体数字来看:预计到2030年,半导体新增的钼需求大约在334吨。跟全球近30万吨的钼供给总量相比,这点量确实不算什么。但对比现有的高纯钼粉产能(约5000吨/年),这却是一块实实在在的增量蛋糕。

图:AlphaClaw总结
更关键的是,全球真正通过三星、SK海力士这类头部存储厂商认证的供应商,不超过3到5家。这直接导致一个结果:半导体级钼的定价逻辑,会跟大宗商品钼铁脱钩,走向高溢价的模式。
所以,"以钼代钨"的真正逻辑,不是总量冲击,而是
从供给端来看,全球钼的供给约40%来自南美铜矿的伴生矿(秘鲁、智利),25%到30%来自中国独立钼矿,其余来自北美。
这里有一个结构性问题:伴生矿的钼产量,取决于铜矿主矿的开采计划,跟钼价本身没关系。这就导致钼的供给弹性,从根上就显著低于大多数有色金属。
具体数据:2026年1到4月,秘鲁地区(全球产量约10%)因为能源紧缺,中国从秘鲁进口的钼精矿同比下滑了16%。同一时期,南美铜矿主矿商下调了2026年的铜产量指引,这直接传导到了伴生钼的产量上。
再看26到28年这个时间段,几乎没有显著的新增产能投放。主要寄托在两个超大型项目上:
需求侧看,传统钢铁领域保持稳健,再加上半导体带来的新增量,机构普遍判断,钼价有望突破2022年的高点(6500元/吨度)。

图:AlphaClaw作图

图:AlphaClaw作图
其他值得关注的标的见下表:

图:AlphaClaw总结
注:本报告仅供学习公司及产业链知识使用,不作为任何投资建议。
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