三星1d DRAM量产时间表曝光，预计明年下半年导入设备

三星电子下一代DRAM的量产计划有了最新进展。根据韩国媒体报道，三星正与合作伙伴共同开发用于第七代10纳米级（1d）DRAM的量产设备，目标最早在明年第二季度开始导入相关设备，并计划于明年上半年启动初步量产准备工作。

消息人士指出，虽然此前有观点认为三星可能在今年内启动1d DRAM量产，但由于关键设备仍处于开发阶段，这一预期被认为不切实际。目前讨论中的量产设备导入目标时间为明年第二季度，考虑到实际准备所需时间，

工艺细节与性能提升

据介绍，1d DRAM的电路线宽约为10至11纳米，相比当前已商用的第六代10纳米级（1c）DRAM的11至12纳米线宽进一步缩小。线宽越窄，通常意味着DRAM芯片在性能和能耗控制方面具有更高的潜力。

研发进展与行业观点

一位半导体行业相关人士透露：“三星电子正在与主要合作伙伴积极进行研发，以稳定1d DRAM的良率和性能。日程可能会有变动，但目标是在明年第二季度或第三季度引入量产设备。”另一位相关人士则表示，三星的1d DRAM属于开发进展相对较高的工艺，预计明年可以开始量产，今年年底左右计划将更加具体化。

三星电子已对1d DRAM进行了包括初期样品制作在内的内部量产评估。该技术预计将在其AI内存业务中发挥重要作用，特别是计划于2029年商业化的第九代高带宽内存（HBM5E），将采用1d DRAM作为核心芯片。