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三星启动1.4nm工艺开发:29年量产 用上4亿美元的下代EUV光刻机

来源:互联网 更新时间:2026-07-01 09:52

6月30日消息,韩国日前宣布未来10年1000万亿韩元(约合4.4万亿人民币)的芯片投资计划,虽然主要是面向存储芯片,但先进工艺也一样会得到加速。

三星去年就量产了2nm工艺SF2,Galaxy S26系列手机的Exynos 2600首发,只不过实测结果显示还是没完全打赢台积电的3nm工艺芯片。

好消息是三星还会启动更强大的1.4nm工艺SF1.4研发

,该工艺原本是在2027年量产,但三星之前调整了进度,2nm工艺会继续打磨两三年,1.4nm工艺就推迟到了2029年量产,跟台积电、Intel的1.4nm同级别工艺差不多时间。

三星日前已经向韩国国内及国外半导体设备供应商提出要求,希望他们提前研发针对1.4nm工艺的设备,未来会用于三星下一代半导体研发中心NRD-K。

1.4nm工艺具体的细节还不确定,

但三星会在这一代工艺上正式引入High NA EUV光刻机

,NA 0.55比当前的NA 0.33更高,所以光刻分辨率也更高,是2nm节点以下的关键设备。

这个新一代EUV光刻机的价格也会大涨,

预计售价在4亿美元左右

,而当前的EUV光刻机也就1.5-2亿美元,价格翻倍,工厂的生产成本自然也会大涨。

台积电也是因为High NA EUV光刻机成本太贵,未来几代工艺还不会用这种设备,该设备主要的客户是Intel,也是最早的客户,其次是SK海力士,三星算是第三家确定用的,明年的10台High NA EUV订单就靠他们三了。

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