铠侠Gen10 NAND闪存以332层实现能效、成本与可靠性全面突破

存储容量的需求一直在涨，NAND闪存的堆叠层数自然水涨船高。眼下，有些国际头部厂商已经把量产工艺推到了400层以上。可事情到了铠侠这里，画风却不太一样——作为NAND闪存技术的开创者，这一次，他们并没有把“堆叠层数”当作首要冲刺目标。

就在不久前，铠侠正式发布了第十代BiCS闪存——Gen10。对比上一代Gen8，这一代产品在多项关键指标上都有了肉眼可见的提升：存储密度提升了59%，读取速度提高了15%，写入速度更是猛增25%。而让人意外的是，读取功耗降低了40%，写入功耗也下降了30%。

堆叠结构上，Gen10从Gen8的218层增加到了332层，增幅达到52%。这个数字放在今天，确实比某些厂商喊出的400层以上要低调一些。但铠侠特别强调了一个观点：层数不是衡量性能与价值的唯一尺子。从他们给出的对比数据来看，在与主流400层以上方案的正面交锋中，332层的设计反而让单位GB制造成本降低了近10%，能效提升了超过10%，器件可靠性更是增强了35%以上。

当然需要说明的是，这个对比主要围绕成本、功耗和可靠性这些综合指标展开，没有直接比拼存储密度。事实上，在单位面积存储容量这件事上，更高的堆叠层数天生有优势，这也是为什么不少厂商还在不断往上堆层数。

更值得关注的是接口性能。铠侠依托自研的CMOS直接键合（CBA）技术，已经定下了一个目标：2029年实现4.8Gbps的接口速率。到那时候，行业主流水平大概率还在3.6Gbps这个区间徘徊。如果这条路走得通，铠侠在这个技术方向上大概能保持四年的领先身位。

说到闪存晶圆级键合技术，除了国际上的几家主要玩家，国内的长江存储其实也早早布局，形成了一套自主特色的技术积累，而且已经具备了量产能力。行业生态越来越丰富，竞争格局也越来越有意思了。