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芝奇内存实现低压高频突破：1.1V电压稳定运行9200MT/s

来源:互联网 更新时间:2026-05-30 10:59

在追求更高性能与更低功耗的行业趋势下，内存技术正迎来新的突破点。对于普通用户和硬件爱好者而言，这意味着未来在组建高性能电脑时，有望在更低的电压下获得更稳定的高频表现，从而兼顾性能与能效。

芝奇内存实现低压高频突破：1.1V电压稳定运行9200MT/s

低压环境下的高频稳定运行

近日，芝奇展示了其16GBx2 DDR5 CU-DIMM内存条的技术实力。该内存在仅使用JEDEC标准的DDR5电压

1.1V

的条件下，于4-DIMM主板平台上实现了

9200MT/s CL74-74-74-148

的稳定运行。这一成绩具有重要意义，因为以往达到类似高频水平通常需要在通道数更少的2-DIMM主板平台上才能实现。此次成功突破了平台限制，展现了厂商在内存工程设计、IC颗粒筛选以及极限超频调校方面的深厚积累。

测试平台与未来展示

此次超频测试所使用的硬件平台为英特尔酷睿 Ultra 7 270K Plus处理器搭配微星的MEG Z890 GODLIKE主板。据悉，芝奇计划在

COMPUTEX 2026

展会现场公开展示这套硬件组合，让业界和消费者能够近距离了解其技术成果。这一进展不仅为高端DIY市场提供了新的性能参考，也预示着下一代内存产品在能效与频率平衡方面可能的发展方向。

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