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内存降价别想!DRAM大厂南亚科:缺口至少到明年底

来源:互联网 更新时间:2026-05-22 10:59

5月22日消息,中国台湾DRAM大厂南亚科技5月21日召开股东会,总经理李培瑛释放多项信号。

他明确表示,当前客户需求远高于供给,不少客户主动要求签订两至三年的长约,缺货状况至少到明年底都会维持紧张,展望2028年供需缺口预计仍将持续。

李培瑛指出,DRAM产业正逐渐摆脱过去高度波动的景气循环模式,转向更稳定的"结构性发展",AI兴起将带来下一阶段的结构性需求成长。

在AI内存布局上,李培瑛透露,公司布局的并非传统标准型HBM3、HBM4,而是频宽更高、具差异化优势的客制化超高频宽内存,采用Wafer-to-Wafer Bonding技术,频宽高于现行JEDEC标准HBM规格。

产能扩张方面,新厂扩建规划预计2027年第一季开始装机,下半年正式量产,新增约3万片月产能并导入新世代制程技术。

针对中国大陆DRAM厂商积极扩建产能的影响,李培瑛表示“影响虽有,但仍处于相对稳定状况”,

南亚科的目标是在定制化与高附加值产品线上构建差异化壁垒。

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