不用悲观 芯片工艺还能再战20年：2046年直奔0.2nm以下

5月2日消息，引领全球芯片工艺发展的摩尔定律已经有50多年历史，最近十几年业内都在谈摩尔定律已死，认为芯片工艺很快会到物理极限，没法再微缩下去了。

不过比利时的欧洲微电子中心IMEC对此并没有那么悲观，他们最近公布的路线图显示现在的硅基工艺还能再战很多年，2046年干到0.2nm以下还是可行的。

根据他们公布的路线图，业界在2018年实现了7nm水平的N7工艺，直到3nm的N3工艺还都可以靠FinFET晶体管实现，去年2nm节点的N2工艺开始转向了GAA晶体管，使用的是NanoSheets路线，

2034年预计会进入0.7nm级别的A7工艺，这时候开始GAA晶体管结构也不行了，

CFET晶体管会一直用到2040年的0.3nm级别的A3工艺，再往后还得换晶体管结构，这次会用上传闻已久的2DFET，也就是进入二维晶体时代，这被视为芯片工艺的终极材料，完美的原子级厚度，台积电、三星及Intel等公司都展示过这种黑科技，不过量产依然没有时间表。

总之，IMEC给出了未来20年的芯片工艺路线图，但是进入到埃米级之后，每代工艺的提升都很难。

如果大家关注过台积电2nm之后的工艺，芯片面积微缩已经不明显了，密度提升个10%都很难，所以才搞出了很多不那么标准的工艺断代，前不久的技术论坛上甚至公布了A13、A12工艺，填补A14到A10之间的空白，后面再有A11工艺都不会让人意外。

此外，芯片工艺的升级也不只是看nm数字大小就能决定了，散热、供电、封装等方面也有极高的技术挑战，谁能解决这些问题也有可能在未来20年的工艺竞争中脱颖而出，超越个台积电、三星或者Intel也不是没可能。

希望未来20年的竞争中，中芯国际、华虹、晶合集成、芯联集成等大陆企业也能参与其中，不再是追赶者了。