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英特尔18A-P工艺细节曝光：性能提升9% 热导率提升50%

来源:互联网 更新时间:2026-05-01 13:55

据悉，英特尔正在完善18A-P制程技术，计划在6月召开的VLSI大会上公布更多细节。作为18A工艺的增强版，18A-P基于RibbonFET和PowerVia技术，在同等功耗下性能提升9%。

18A-P工艺新增低功耗及高性能器件，逻辑阈值电压对从18A的4对增至5对以上。时序偏差角收紧30%，显著减少节点内的性能差异。互连RC优化及V0-V2电阻降低，M2-M4走线调整，进一步提升信号与电源效率。

热管理方面，18A-P制程达成50%的热导率提升，能更高效地将热量传导出去，避免芯片触及热阈值而降频。

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