来源:互联网 更新时间:2026-04-16 16:55
据悉,三星电子计划于5月开始生产首批HBM4E内存性能样品,为2027-2028年的供应做准备。
三星电子在今年早些时候的NVIDIA GTC 2026上展示了HBM4E内存,其每Pin数据传输速率可达16Gbps,整体带宽达4.0TB/s。不过业内人士认为当时的样品仅是技术演示。
HBM4E将采用1c nm DRAM Die和4nm Base Die工艺,但会在工艺细节上有所改进。
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