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内存难降价!美光:DRAM缺货要到2027年 这次有了新瓶颈

来源:互联网 更新时间:2026-04-03 10:31

4月3日消息,据摩根士丹利跟踪报告披露,美光科技董事长兼CEO Sanjay Mehrotra在投资人会议上表示,

DRAM供不应求的状态将持续至2027年,新产能最快也要2027年底才会出货,预计到2028年才会对市场供给产生实质影响。

造成这一局面的原因有两方面,一方面,美光正在积极扩产DRAM,但新建晶圆厂从建设到量产需要较长周期。

另一方面,先进制程所需的极紫外光刻(EUV)设备产能有限且交付周期较长,半导体设备的供应瓶颈进一步拖慢了扩产节奏。

HBM是加剧供需失衡的关键变量,美光已在2025年第三季达成HBM位元市占率追平其整体DRAM市占的目标。

但问题在于,过渡至HBM4/5时,消耗产能的比重可能高达4:1,

即生产同等容量的HBM,所需晶圆产能是传统DRAM的4倍,这意味着HBM将大幅挤占通用DRAM的产能。

为应对这一结构性变化,美光近期启动了"策略性客户协议"(SCA),目前已签署一份为期五年的长期合约,以确保资本支出的适当资本回报率。

管理层强调,AI与数据中心的发展已使内存成为策略性重要资产,这一长期合作模式展现出与以往周期不同的营运耐久性。

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