全球首秀！Intel首次展示ZAM原型：功耗爆降50% 秒杀现有HBM内存

2月1日消息，这是Intel ZAM内存首次公开展示！

上周我们报道过，Intel将与软银旗下子公司Saimemory达成深度合作，

原本以为还很遥远，没想到Intel如此之快就向全球展示了其原型产品。据日本媒体PCWatch报道，

Intel院士兼政府技术首席技术官Joshua Fryman和Intel日本首席执行官Makoto Onho出席了此次活动。

此次活动主要关注

ZAM技术的核心突破在于架构设计，其摒弃了传统内存的垂直布线模式，采用交错互连拓扑结构实现芯片堆叠内部的对角线 “Z 字形” 布线，搭配铜 - 铜混合键合技术让芯片层间高效融合。

同时结合无电容设计与Intel成熟的EMIB互连技术，

相较于目前AI领域主流的 HBM 内存，ZAM的产品优势十分突出：

据活动公布的信息，Intel 在ZAM项目中将负责初始投资与战略决策，双方清晰的分工让这项技术的落地路径更为明确。

如今全球 AI 大模型训练、超大规模数据中心运算推动算力需求指数级攀升，DRAM 供应链瓶颈凸显，HBM内存的垄断格局也带来了成本与产能问题，这为Intel的回归提供了重要机遇。依托在先进封装、芯片堆叠领域的深厚技术积累，Intel试图以ZAM技术抢占AI内存市场先机。

不过，ZAM技术要实现市场突围仍面临关键考验，其最终能否打破现有市场格局，核心在于能否获得 NVIDIA 等 AI 行业领军企业的采纳，以及后续能否顺利完成量产落地与生态建设。