三星：明年的 HBM 内存产能已售罄，考虑扩建生产线

11 月 2 日消息，据 TheElec 报道，三星考虑扩建高带宽内存（HBM）生产线以提高产能。这家韩国科技巨头周四表示，

尽管三星在第三季度财报电话会议上并未直接说明，但公司暗示已开始向英伟达（Nvidia）供应 HBM3E 产品。

三星指出，明年存储器市场的增长动力将继续来自人工智能（AI）领域的需求推动。

由于产能正集中投向 HBM 和 DRAM，三星同时表示，

该公司还表示，由于行业正将传统产线转向先进制程节点，今年下半年以来，传统产品的价格已大幅上涨，这一趋势将导致相关传统产品在未来持续面临供应紧张，影响或将延续至明年。

三星补充称，受 AI 热潮推动，半导体市场预计将在明年上半年保持强劲，但仍存在关税等不确定性因素。

当被问及英伟达是否已对 HBM3E 给予最终认证时，三星拒绝置评，

与此同时，三星、SK 海力士与美光正筹备于明年推出 HBM4 产品，预计将搭载于英伟达下一代 GPU“Rubin”平台。

此外，三星第三季度实现营收 86.1 万亿韩元（注：现汇率约合 4279.17 亿元人民币），营业利润 12.2 万亿韩元（现汇率约合 606.34 亿元人民币），创下公司历史上单季度最高营收纪录。