来源:互联网 更新时间:2025-06-20 10:02
6月20日消息,据媒体报道,英特尔一位董事提出,未来晶体管设计(如GAAFET和CFET)可能降低芯片制造对先进光刻设备(尤其是EUV光刻机)的依赖。这一观点挑战了当前先进芯片制造的核心范式。
目前,ASML的极紫外(EUV)光刻机是制造高端芯片(如7nm及以下节点)的关键设备,它负责将极其微小的电路设计“打印”到硅晶圆上。
然而,该董事认为,像环绕栅极场效应晶体管(GAAFET)和互补场效应晶体管(CFET)这样的新型设计,将显著增加光刻之后制造步骤(特别是刻蚀技术)的重要性,从而削弱光刻在整体工艺中的主导地位。
芯片制造流程始于光刻——将设计图案转移到晶圆表面。随后通过沉积添加材料,并通过刻蚀选择性地去除材料,最终形成晶体管和电路结构。
新型晶体管设计的核心在于“包裹”栅极结构(GAAFET)或堆叠晶体管组(CFET)。这种三维结构的复杂性对精确刻蚀提出了更高要求。为了从各个方向“包裹”栅极或创建堆叠结构,芯片制造商需要更精细地、特别是横向地去除晶圆上的多余材料。
因此,该董事指出,未来的重点可能从单纯依赖光刻机缩小特征尺寸,转向更复杂、更关键的刻蚀工艺,以确保这些新型三维晶体管结构的精确成型。这预示着芯片制造技术路线可能迎来重大转变。
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