来源:互联网 更新时间:2025-05-15 09:01
5月15日消息,据媒体报道,苹果正在为20周年iPhone研发多项创新技术,其中HBM内存被视为关键发展方向之一。
据悉,HMB全称是High Bandwidth Memory,中文名为“高带宽内存”,这是一种全新的基于3D堆栈技术的高性能DRAM。
它能提高数据吞吐量,同时降低功耗并缩小内存芯片体积,目前主要应用于AI服务器,苹果希望通过将移动HBM与iPhone的GPU单元连接来增强设备端AI能力,这项技术对于端侧AI大模型至关重要,可避免电量过快耗尽,还能降低延迟。
具体来说,HBM采用TSV工艺进行3D堆叠,有效提升带宽,实现更高的集成度,通过与处理器相同的“Interposer”中间介质层与计算芯片实现紧凑连接,一方面既节省了芯片面积,另一方面又显著减少了数据传输时间。
报道称苹果已与三星电子和SK海力士等主要内存供应商讨论该计划,三星正在开发名为VCS的封装方案,而SK海力士则采用VFO技术,两家公司都计划在2026年后量产。
不过移动HBM面临诸多挑战,一是制造成本远高于现有的LPDDR内存,二是iPhone是一款轻薄设备,散热是一项重要挑战;三是3D堆叠和TSV工艺采用高度复杂的封装工艺,良率也是一大挑战。
若苹果在2027年iPhone产品线中采用这项技术,这将成为20周年纪念机型的又一创新之举,传闻这款里程碑产品还将配备完全无边框的显示屏,展现苹果在智能手机领域持续突破的决心。
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