曝20周年版iPhone首发HBM内存：性能最激进的苹果手机

5月15日消息，据媒体报道，苹果正在为20周年iPhone研发多项创新技术，其中HBM内存被视为关键发展方向之一。

据悉，HMB全称是High Bandwidth Memory，中文名为“高带宽内存”，这是一种全新的基于3D堆栈技术的高性能DRAM。

它能提高数据吞吐量，同时降低功耗并缩小内存芯片体积，目前主要应用于AI服务器，苹果希望通过将移动HBM与iPhone的GPU单元连接来增强设备端AI能力，这项技术对于端侧AI大模型至关重要，可避免电量过快耗尽，还能降低延迟。

具体来说，HBM采用TSV工艺进行3D堆叠，有效提升带宽，实现更高的集成度，通过与处理器相同的“Interposer”中间介质层与计算芯片实现紧凑连接，一方面既节省了芯片面积，另一方面又显著减少了数据传输时间。

报道称苹果已与三星电子和SK海力士等主要内存供应商讨论该计划，三星正在开发名为VCS的封装方案，而SK海力士则采用VFO技术，两家公司都计划在2026年后量产。

不过移动HBM面临诸多挑战，一是制造成本远高于现有的LPDDR内存，二是iPhone是一款轻薄设备，散热是一项重要挑战；三是3D堆叠和TSV工艺采用高度复杂的封装工艺，良率也是一大挑战。

若苹果在2027年iPhone产品线中采用这项技术，这将成为20周年纪念机型的又一创新之举，传闻这款里程碑产品还将配备完全无边框的显示屏，展现苹果在智能手机领域持续突破的决心。